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湖南省制造业创新中心揭牌
2018-11-07 09:48:36 湖南日报·新湖南客户端     [作者:邓晶琎]     [责任编辑:肖秀芬]      字体:【

IGBT联盟第四届国际学术论坛株洲举行

湖南省制造业创新中心揭牌

湖南日报·新湖南客户端11月6日讯(记者 邓晶琎 通讯员 易永彤)今天,湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟(以下简称“IGBT联盟”)第四届国际学术论坛在株洲举行。中国科学院院士陈星弼、中国工程院院士丁荣军、中国工程院院士汤广福等国内外专家、IGBT产业链上下游企业代表近300人参会。当天,湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。

IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是一种新型功率半导体器件的主流器件,已广泛应用于工业、计算机、航空航天、国防军工、轨道交通、新能源汽车等产业。我国于2014年成立IGBT联盟,旨在整合国内IGBT领域资源,推动我国电力电子技术,特别是IGBT技术与产业化发展。

本届论坛上,陈星弼、汤广福两位院士和行业专家代表,从国际技术水平、IGBT产业发展机遇与挑战、IGBT在不同应用领域等方面展开学术交流,共同探讨全球IGBT技术与产业发展趋势,谋划进一步推动我国IGBT技术创新及产业化对策。

据介绍,我省正加快发展IGBT等新兴优势产业链。当天,湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。该中心致力于打造国家级创新平台,将展开功率半导体产业技术研发及产品开发,面向行业联盟与产业链上下游提供设计、检测等技术服务,开展国际交流和合作等。

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